MOS管主要參數(shù)有哪些？
發(fā)布日期:2022-11-15
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1. 柵源擊穿電壓BVGS-在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開端劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
2.開啟電壓VT-開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開端構(gòu)成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；-規(guī)范的N溝道MOS管，VT約為3～6V；-經(jīng)過工藝上的改良，能夠使MOS管的VT值降到2～3V。
3. 漏源擊穿電壓BVDS-在VGS=0（加強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開端劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS-ID劇增的緣由有下列兩個方面：
（1）漏極左近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿-有些MOS管中，其溝道長度較短，不時增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層不時擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直承受耗盡層電場的吸收，抵達漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID。
4. 直流輸入電阻RGS-即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比-這一特性有時以流過柵極的柵流表示-MOS管的RGS能夠很容易地超越1010Ω。
5. 低頻跨導(dǎo)gm-在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和惹起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)-gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一個重要參數(shù)-普通在非常之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)。
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